企业简介
广东德力光电有限公司 main business:LED外延片、芯片的研发、生产、销售；LED技术开发、成果转让及技术咨询服务。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 江门市江海区彩虹路1号.
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广东德力光电有限公司的工商信息
- 440704000025913
- 914407045829339349
- 在营（开业）企业
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2011年09月16日
- 王非
- 30000.000000
- 2011年09月16日 至 永久
- 广东省江门市江海区市场监督管理局
- 2018年04月26日
- 江门市江海区彩虹路1号
- LED外延片、芯片的研发、生产、销售；LED技术开发、成果转让及技术咨询服务。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
广东德力光电有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10631144 |  |
DELI | 2012-03-16 | 片剂;人用药;医药制剂;化学药物制剂;中药成药;药用酵母;原料药;药用胶囊;医用药物;药酒; | 查看详情 |
| 2 | 17045333 |  |
图形 | 2015-05-26 | 材料处理信息；材料硫化处理；碾磨加工；焊接服务；金属处理；精炼；光学玻璃研磨；净化有害材料；超低温冷冻服务（生命科学）；化学试剂加工和处理 | 查看详情 |
| 3 | 17045023 |  |
图形 | 2015-05-26 | 成本价格分析；进出口代理；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）；将信息编入计算机数据库；绘制账单、账目报表；广告；商业管理和组织咨询；市场分析；为消费者提供商业信息和建议（消费者建议机构）；商业研究 | 查看详情 |
| 4 | 10631197 |  |
德力 | 2012-03-16 | 木浆；纸浆；纤维素浆；感光纸；相纸 | 查看详情 |
| 5 | 17045381 |  |
图形 | 2015-05-26 | 实际培训（示范）；职业再培训；安排和组织学术讨论会；组织教育或娱乐竞赛；安排和组织专题研讨会；安排和组织专家讨论会；流动图书馆；在线电子书籍和杂志的出版；摄影；娱乐 | 查看详情 |
| 6 | 17044915 |  |
图形 | 2015-05-26 | 发光二极管（LED）照明器具；照明用放电管；照明用发光管；安全灯；日光灯管；照明器械及装置；电炊具；水冷却装置；空气冷却装置；热气装置 | 查看详情 |
| 7 | 17066679 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 在线电子书籍和杂志的出版；摄影；娱乐；职业再培训；实际培训（示范）；安排和组织学术讨论会；组织教育或娱乐竞赛；安排和组织专题研讨会；安排和组织专家讨论会；流动图书馆 | 查看详情 |
| 8 | 17066562 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 电子管阳极；电阻材料；硅外延片；电涌保护器；电器接插件；芯片（集成电路）；三极管；发光二极管（LED）；电子芯片；荧光屏 | 查看详情 |
| 9 | 10631156 |  |
德力 | 2012-03-16 | 纸张加工；书籍装订；纸张处理；艺术品装框；印刷；能源生产；服装制作 | 查看详情 |
| 10 | 10631191 |  |
德力 | 2012-03-16 | 片剂;人用药;医药制剂;化学药物制剂;中药成药;药用酵母;原料药;药用胶囊;医用药物;药酒; | 查看详情 |
| 11 | 12985655 |  |
德力光电 DELIOPTO | 2013-07-26 | 数量显示器；复印机(照相、静电、热)；电阻材料；半导体；集成电路用晶片；电子芯片；硅外延片；荧光屏；遥控装置；工业用放射设备； | 查看详情 |
| 12 | 17066621 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 安全灯；发光二极管（LED）照明器具；照明器械及装置；照明用放电管；日光灯管；照明用发光管；电炊具；水冷却装置；空气冷却装置；热气装置 | 查看详情 |
| 13 | 17066512 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 广告；商业研究；商业管理和组织咨询；市场分析；为消费者提供商业信息和建议（消费者建议机构）；成本价格分析；进出口代理；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）；将信息编入计算机数据库；绘制账单、账目报表 | 查看详情 |
| 14 | 17066728 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 替他人研究和开发新产品；技术项目研究；科学实验室服务；化学分析；计算机硬件设计和开发咨询；计算机程序和数据的数据转换（非有形转换）；无形资产评估；提供关于碳抵消的信息、建议和咨询；节能领域的咨询；技术研究 | 查看详情 |
| 15 | 17045567 |  |
图形 | 2015-05-26 | 节能领域的咨询；技术研究；提供关于碳抵消的信息、建议和咨询；替他人研究和开发新产品；科学实验室服务；技术项目研究；化学分析；计算机程序和数据的数据转换（非有形转换）；计算机硬件设计和开发咨询；无形资产评估 | 查看详情 |
| 16 | 17044785 |  |
图形 | 2015-05-26 | 硅外延片；电阻材料；电子管阳极；芯片（集成电路）；电子芯片；发光二极管（LED）；三极管；电器接插件；荧光屏；电涌保护器 | 查看详情 |
| 17 | 17066554 |  |
DELIOPTO | 2015-05-28 | 材料处理信息；材料硫化处理；碾磨加工；精炼；金属处理；焊接服务；光学玻璃研磨；净化有害材料；超低温冷冻服务（生命科学）；化学试剂加工和处理 | 查看详情 |
广东德力光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106098887A | 一种紫外外延片结构 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种紫外外延片结构，包括衬底，所述衬底上依次生成有缓冲层、U‑GaN层、第一P‑GaN层 |
| 2 | CN303731009S | 发光二极管芯片（1） | 2016.06.29 | 1．本外观设计产品的名称：发光二极管芯片（1）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于焊电分离 |
| 3 | CN106098877A | 一种ZnO基倒装LED芯片及其制作方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种ZnO基倒装LED芯片及其制作方法，ZnO基倒装LED芯片包含N型GaN层，N型Ga |
| 4 | CN103594613B | 免焊线的正装LED芯片及其封装方法 | 2016.09.14 | 本发明公开了一种免焊线的正装LED芯片，其特征在于：包括：外延芯片，外延芯片包括衬底、缓冲层、N型层 |
| 5 | CN106252329A | 一种平坦的LED倒装高压芯片 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种平坦的LED倒装高压芯片，包括衬底，所述衬底上表面设置有多个间隔设置的芯片单元，所述 |
| 6 | CN106252469A | 一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法，包括在外延层上沉积复合掩模层，所述复合掩模层包括至 |
| 7 | CN106206900A | 一种高亮正装LED芯片 | 2016.12.07 | 本发明提供了一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包 |
| 8 | CN206059422U | 一种带侧壁反射层的LED芯片 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种带侧壁反射层的LED芯片，设置于发光层与水平反射层之间并处于水平反射层边缘的侧壁 |
| 9 | CN206059421U | 一种高光效LED芯片结构 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层 |
| 10 | CN206059424U | 一种新型倒装芯片发光器件 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种新型倒装芯片发光器件，包括芯片主体，所述芯片主体下部的电极通过锡膏安装在电路板上 |
| 11 | CN206059348U | 一种基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统，两个以上的图像化热压头能够同时应用于多个倒 |
| 12 | CN106410011A | 一种倒装芯片的3D打印封装方法 | 2017.02.15 | 本发明提供了一种倒装芯片的3D打印封装方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：利用计算机设计LED器件 |
| 13 | CN106356309A | 一种适于倒装固晶的自动调整型热压头结构 | 2017.01.25 | 本发明提供了一种适于倒装固晶的自动调整型热压头结构，包括设置在压合机上的热压头，其特征在于：所述的热 |
| 14 | CN106356435A | 一种倒装芯片压合机及倒装发光二极管的封装方法 | 2017.01.25 | 本发明提供了一种倒装发光二极管的封装方法，首先将导电微粒均匀分散到导热性良好的绝缘胶水中形成压合导电 |
| 15 | CN106328789A | 具有良好散热结构的LED芯片及其封装方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种具有良好散热结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底，所述衬底上依次生成有外延层、N |
| 16 | CN106169530A | 一种带侧壁反射层的LED芯片结构 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种带侧壁反射层的LED芯片结构，设置于发光层与水平反射层之间并处于水平反射层边缘的侧壁 |
| 17 | CN106159063A | 一种新型倒装芯片发光器件及其制备方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种新型倒装芯片发光器件，包括芯片主体，所述芯片主体下部的电极通过锡膏安装在电路板上，所 |
| 18 | CN106158677A | 基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法，两个以上的图像化热压头能够同时应用于多 |
| 19 | CN106129215A | 一种高光效LED芯片结构 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、D |
| 20 | CN106129203A | 一种紫外LED倒装芯片 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型GaN层、量子阱有源区、P型G |
| 21 | CN205542861U | 一种含量子点的LED芯片结构 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半 |
| 22 | CN205428992U | 一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层 |
| 23 | CN303731008S | 发光二极管芯片（2） | 2016.06.29 | 1．本外观设计产品的名称：发光二极管芯片（2）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于焊电分离 |
| 24 | CN205282497U | 一种全彩氮化镓基LED芯片结构 | 2016.06.01 | 本实用新型公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上 |
| 25 | CN205282498U | 一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片 | 2016.06.01 | 本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体 |
| 26 | CN205231113U | 一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片 | 2016.05.11 | 本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光 |
| 27 | CN205231114U | 一种LED发光芯片的新型倒装结构 | 2016.05.11 | 本实用新型公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层 |
| 28 | CN205231062U | 一种新型LED芯片的互联结构 | 2016.05.11 | 本实用新型公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯 |
| 29 | CN105489740A | 一种含量子点的LED芯片结构 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体 |
| 30 | CN105489730A | 一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和 |
| 31 | CN105489745A | 一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P |
| 32 | CN105489731A | 一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P |
| 33 | CN105355750A | 一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片及其制作方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光 |
| 34 | CN105355642A | 一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进 |
| 35 | CN105355749A | 一种全彩氮化镓基LED芯片结构 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上依次 |
| 36 | CN204760425U | 一种AC-LED芯片及其应用 | 2015.11.11 | 本实用新型公开了一种AC-LED芯片及应用该AC-LED芯片的高压AC-LED芯片，所述第一外延部和 |
| 37 | CN104953012A | 一种AC-LED芯片及其应用 | 2015.09.30 | 本发明公开了一种AC-LED芯片及应用该AC-LED芯片的高压AC-LED芯片，所述第一外延部和第二 |
| 38 | CN204614807U | 一种高亮正装LED芯片 | 2015.09.02 | 本实用新型提供了一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延 |
| 39 | CN104576864A | 一种新型出光结构的GaN基发光二极管及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种新型出光结构的GaN基发光二极管，包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次 |
| 40 | CN104576865A | 一种应力释放的GaN基发光二极管结构及制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种应力释放的GaN基发光二极管结构，包括蓝宝石衬底和GaN基外延层，其特征在于：所述蓝 |
| 41 | CN104576627A | 一种高显色性白光LED结构及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种高显色性白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红光LED芯片，其特征在于： |
| 42 | CN104576628A | 一种新型白光LED结构及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所 |
| 43 | CN204289496U | 一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构 | 2015.04.22 | 本实用新型公开了一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构，包括衬底和在衬底上形成的外延层，其特征在于 |
| 44 | CN204271133U | 一种点焊式LED芯片结构 | 2015.04.15 | 本实用新型公开了一种点焊式LED芯片结构，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层和I |
| 45 | CN204271122U | 一种复合透明导电电极的LED芯片 | 2015.04.15 | 本实用新型公开了一种复合透明导电电极的LED芯片，包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N-GaN层、 |
| 46 | CN104505336A | 一种应力释放的掺杂氧化锌导电薄膜的生长方法 | 2015.04.08 | 本发明公开了一种应力释放的掺杂氧化锌透明导电薄膜的生长方法，其特征在于：包括在LED外延片上生长有三 |
| 47 | CN104505445A | 一种复合透明导电电极的LED芯片及其制作方法 | 2015.04.08 | 本发明公开了一种复合透明导电电极的LED芯片，包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N-GaN层、量子 |
| 48 | CN104465910A | 一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构及其制作方法 | 2015.03.25 | 本发明公开了一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构，包括衬底和在衬底上形成的外延层，其特征在于：所 |
| 49 | CN104362240A | 一种LED芯片的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiON钝化层结构及其生长方法 | 2015.02.18 | 本发明公开了一种LED芯片的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiON钝化层结 |
| 50 | CN104319319A | 一种LED芯片的研切方法 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种LED芯片的研切方法，先将具有蓝宝石衬底的半导体器件上蜡、研磨、抛光，然后在蓝宝石衬 |
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